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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IPI90R340C3 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-262

内部编号

173-IPI90R340C3

生产厂商

infineon technologies

infineon

#1

数量:3
1+¥28.0462
25+¥26.0429
100+¥24.9642
500+¥23.9625
1000+¥22.8068
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

#2

数量:480
1+¥36.4449
10+¥30.9748
25+¥30.4278
100+¥26.8038
250+¥25.4362
500+¥22.7012
1000+¥19.1456
2500+¥17.7096
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

IPI90R340C3产品详细规格

规格书 IPI90R340C3 datasheet 规格书
IPI90R340C3 datasheet 规格书
IPI90R340C3
IPI90R340C3 datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品培训模块
标准包装 500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 900V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 15A
Rds(最大)@ ID,VGS 340 mOhm @ 9.2A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3.5V @ 1mA
栅极电荷(Qg)@ VGS 94nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 2400pF @ 100V
功率 - 最大 208W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
供应商器件封装 PG-TO262-3
包装材料 Tube
包装 3TO-262
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 900 V
最大连续漏极电流 15 A
RDS -于 340@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 70 ns
典型上升时间 20 ns
典型关闭延迟时间 400 ns
典型下降时间 25 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 15A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3.5V @ 1mA
漏极至源极电压(Vdss) 900V
供应商设备封装 PG-TO262-3
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 340 mOhm @ 9.2A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 208W
封装/外壳 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
输入电容(Ciss ) @ VDS 2400pF @ 100V
闸电荷(Qg ) @ VGS 94nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 500
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
最低工作温度 - 55 C
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 15 A
系列 IPI90R340
RDS(ON) 340 mOhms
功率耗散 208 W
商品名 CoolMOS
零件号别名 IPI90R340C3XKSA1 SP000683082
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 900 V
RoHS RoHS Compliant
Continuous Drain Current Id :15A
Drain Source Voltage Vds :900V
On Resistance Rds(on) :340mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :3V
功耗 :208W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :TO-262
No. of Pins :3
MSL :-
Current Id Max :15A
工作温度范围 :-55°C to +150°C
端接类型 :Through Hole
晶体管类型 :Power MOSFET
Voltage Vds Typ :900V
Voltage Vgs Max :20V
Voltage Vgs Rds on Measurement :10V
Weight (kg) 0.002
Tariff No. 85412900
associated EYGA121807A
EYGA091203SM

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