规格书 |
IPI90R340C3 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
产品培训模块 | |
标准包装 | 500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 900V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 15A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 340 mOhm @ 9.2A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3.5V @ 1mA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 94nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 2400pF @ 100V |
功率 - 最大 | 208W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
包装材料 | Tube |
包装 | 3TO-262 |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 900 V |
最大连续漏极电流 | 15 A |
RDS -于 | 340@10V mOhm |
最大门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 70 ns |
典型上升时间 | 20 ns |
典型关闭延迟时间 | 400 ns |
典型下降时间 | 25 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Rail / Tube |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 15A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 3.5V @ 1mA |
漏极至源极电压(Vdss) | 900V |
供应商设备封装 | PG-TO262-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 340 mOhm @ 9.2A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 208W |
封装/外壳 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 2400pF @ 100V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 94nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 500 |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
最低工作温度 | - 55 C |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
连续漏极电流 | 15 A |
系列 | IPI90R340 |
RDS(ON) | 340 mOhms |
功率耗散 | 208 W |
商品名 | CoolMOS |
零件号别名 | IPI90R340C3XKSA1 SP000683082 |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | 900 V |
RoHS | RoHS Compliant |
Continuous Drain Current Id | :15A |
Drain Source Voltage Vds | :900V |
On Resistance Rds(on) | :340mohm |
Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
Threshold Voltage Vgs | :3V |
功耗 | :208W |
Operating Temperature Min | :-55°C |
Operating Temperature Max | :150°C |
Transistor Case Style | :TO-262 |
No. of Pins | :3 |
MSL | :- |
Current Id Max | :15A |
工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
端接类型 | :Through Hole |
晶体管类型 | :Power MOSFET |
Voltage Vds Typ | :900V |
Voltage Vgs Max | :20V |
Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
Weight (kg) | 0.002 |
Tariff No. | 85412900 |
associated | EYGA121807A EYGA091203SM |
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